MPSU06 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPSU06
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: X17
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MPSU06 datasheet
mpsu05 mpsu06.pdf
MPSW05, MPSW06 One Watt Amplifier Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features Pb-Free Packages are Available* COLLECTOR 3 2 MAXIMUM RATINGS BASE Rating Symbol Value Unit 1 EMITTER Collector-Emitter Voltage MPSW05 VCEO 60 Vdc MPSW06 80 Collector-Base Voltage MPSW05 VCBO 60 Vdc MPSW06 80 Emitter-Base Voltage VEBO 4.0 Vdc Collector Current - Continuous IC 500 mAdc TO
mpsu07.pdf
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History: BD786 | MPSU03
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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