2N4864 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4864
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 18 W
Tensión colector-base (Vcb): 140 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO66
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2N4864 Datasheet (PDF)
2n4864.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N4864 DESCRIPTION With TO-66 package Continuous collector current-IC=2A High VCEO:120V (Min) APPLICATIONS For use in general-purpose switching and linear amplifier applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 Collector
2n4856a 2n4857a 2n4858a 2n4859a 2n4860a 2n4861a.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n4863.pdf
TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
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History: ECG331 | 2N6330 | CV7638-O | HSBD377 | 2N1725 | LBC560A
History: ECG331 | 2N6330 | CV7638-O | HSBD377 | 2N1725 | LBC560A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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