MRF221 Todos los transistores

 

MRF221 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF221
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 31 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 85 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: M174
 

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MRF221 Datasheet (PDF)

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MRF221

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF224/DThe RF LineNPN SiliconMRF224RF Power Transistor. . . designed for 12.5 Volt VHF largesignal power amplifier applicationsrequired in commercial and industrial equipment operating to VHF frequencies. Specified 12.5 Volt, 175 MHz Characteristics Output Power = 40 W40 W, 175 MHzPower Gain = 4.5 dB M

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF224/DThe RF LineNPN SiliconMRF224RF Power Transistor. . . designed for 12.5 Volt VHF largesignal power amplifier applicationsrequired in commercial and industrial equipment operating to VHF frequencies. Specified 12.5 Volt, 175 MHz Characteristics Output Power = 40 W40 W, 175 MHzPower Gain = 4.5 dB M

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History: 2SB1121S | MRF226

 

 
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