MRF226 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MRF226
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
Paquete / Cubierta: X28
Búsqueda de reemplazo de MRF226
MRF226 Datasheet (PDF)
mrf224.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF224/DThe RF LineNPN SiliconMRF224RF Power Transistor. . . designed for 12.5 Volt VHF largesignal power amplifier applicationsrequired in commercial and industrial equipment operating to VHF frequencies. Specified 12.5 Volt, 175 MHz Characteristics Output Power = 40 W40 W, 175 MHzPower Gain = 4.5 dB M
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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