MRF238 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF238

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: X28

 Búsqueda de reemplazo de MRF238

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MRF238 datasheet

 9.1. Size:241K  hgsemi
 mrf235.pdf pdf_icon

MRF238

HG RF POWER TRANSISTOR MRF235 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR NPN Silicon RF power transistor MRF235 Description MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Otros transistores... MRF227, MRF229, MRF230, MRF231, MRF232, MRF233, MRF234, MRF237, TIP32C, MRF243, MRF244, MRF245, MRF304, MRF305, MRF306, MRF309, MRF313