2N4890S Todos los transistores

 

2N4890S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4890S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 160 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N4890S Datasheet (PDF)

 9.1. Size:180K  mospec
 2n4898-99 2n4900.pdf pdf_icon

2N4890S

AAAA

 9.2. Size:14K  semelab
 2n4899x.pdf pdf_icon

2N4890S

2N4898X2N4899X2N4900XMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PNP EPITAXIAL BASEMEDIUM POWERTRANSISTOR6.35 (0.250)8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.3.86 (0.145)rad.APPLICATIONSMedium power, low frequency PNPbipolar transistor in a hermeticallysealed TO66 metal package.1.27 (0.050)1.91 (0.750)4.83 (0.190)5.33 (0.210)9.14 (0.360)min.

 9.3. Size:11K  semelab
 2n4896.pdf pdf_icon

2N4890S

2N4896Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 60V dia.IC = 5A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

 9.4. Size:11K  semelab
 2n4895.pdf pdf_icon

2N4890S

2N4895Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 60V dia.IC = 5A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

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History: KSC3502E | HE8050 | SK3715 | BC108DCSM | TED1602 | 2N6211 | 2SC5614

 

 
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