MRF463 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MRF463
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: M174

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MRF463

MRF463 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF464/DThe RF LineNPN SiliconMRF464RF Power Transistor. . . designed primarily for applications as a highpower linear amplifier from 2.0to 30 MHz, in single sideband mobile, marine and base station equipment. Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 W (PEP)80 W (PEP), 30 MHzMinimum G

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ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF466www.eleflow.com NPN Silicon RF power transistor MRF466 Description: MRF466 is designed primarily for applications as a highpower linear amplifier from 2.0 to 30 MHz, in single sideband mobile, marine and base station equipment. 2N5941 Replacement. Features: Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics: Output Power = 40 W (PEP) or CW, Minimum Gain =

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050