MRF5174 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF5174

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 33 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: X54D

 Búsqueda de reemplazo de MRF5174

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MRF5174 datasheet

 8.1. Size:32K  advanced-semi
 mrf5175.pdf pdf_icon

MRF5174

MRF5175 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI MRF5175 is Designed for High Power Class C Amplifier in, 225 PACKAGE STYLE .280 4L STUD to 400 MHz Military Communication A Equipment. 45 C FEATURES B E E Class C Operation B C PG = 11 dB at 5.0 W/400 MHz D J Omnigold Metalization System E I F G MAXIMUM RATINGS H #8-32 UNC K

Otros transistores... MRF472, MRF475, MRF476, MRF485, MRF501, MRF502, MRF515, MRF517, B772, MRF5175, MRF5176, MRF5177, MRF519, MRF5211, MRF5211LT1, MRF525, MRF531