2N1123 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1123
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 45 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: MT60
Otros transistores... 2N1118A , 2N1119 , 2N111A , 2N112 , 2N1120 , 2N1121 , 2N1122 , 2N1122A , BC327 , 2N1124 , 2N1125 , 2N1126 , 2N1127 , 2N1128 , 2N1129 , 2N112A , 2N113 .
History: 2SB1306
History: 2SB1306
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D