2N1129 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1129
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.3 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO30
- Selección de transistores por parámetros
2N1129 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... 2N1122 , 2N1122A , 2N1123 , 2N1124 , 2N1125 , 2N1126 , 2N1127 , 2N1128 , A940 , 2N112A , 2N113 , 2N1130 , 2N1131 , 2N1131-46 , 2N1131-51 , 2N1131A , 2N1131AS .
History: T3003 | 2SA449 | 2SD1657 | K2102 | BLX58 | BUS21D | 2SC1498
History: T3003 | 2SA449 | 2SD1657 | K2102 | BLX58 | BUS21D | 2SC1498



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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