2N112A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N112A
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.13 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 24 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO22
Otros transistores... 2N1122A , 2N1123 , 2N1124 , 2N1125 , 2N1126 , 2N1127 , 2N1128 , 2N1129 , BC327 , 2N113 , 2N1130 , 2N1131 , 2N1131-46 , 2N1131-51 , 2N1131A , 2N1131AS , 2N1132 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050