2N502A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N502A
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.06 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO9
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N502A
2N502A Datasheet (PDF)
2n5022 2n5023.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n5020 2n5021.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-18 B-18 01/99 2N5020, 2N5021 P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Analog Switches Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Continuous Forward Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 500 mW Power Derating 4 mW/ C Storage Temperature Range 65 C to + 200 C A
Otros transistores... 2N5023 , 2N5023S , 2N5024 , 2N5025 , 2N5026 , 2N5027 , 2N5028 , 2N5029 , 2N3906 , 2N502B , 2N503 , 2N5030 , 2N5031 , 2N5032 , 2N5034 , 2N5035 , 2N5036 .
History: BCR119W | FJN3301R | 2SD389 | 2SD2182 | DTA044EEB | MS1649 | BUT36
History: BCR119W | FJN3301R | 2SD389 | 2SD2182 | DTA044EEB | MS1649 | BUT36
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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