NTE102 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTE102
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 90
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NTE102 datasheet
nte106.pdf
NTE106 Silicon PNP Transistor Switching Transistor Absolute Maximum Ratings Collector Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V Collector Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V Emitter Base Voltage,
Otros transistores... NSP598 , NSP599 , NSP600 , NSP601 , NSP602 , NTC-10 , NTE100 , NTE101 , TIP31C , NTE102A , NTE103 , NTE103A , NTE104 , NTE105 , NTE121 , NTE126 , NTE126A .
History: 2SD2531 | 2SD2406
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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