NTE45 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTE45
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 400
Búsqueda de reemplazo de NTE45
NTE45 Datasheet (PDF)
nte458.pdf

NTE458N-Channel Silicon JFETGeneral Purpose, Low Noise, Audio Frequency AmplifierTO92 Type packageFeatures:D Very Low NoiseD Low Gate CurrentAbsolute Maximum Ratings: (TA = +25WC unless otherwise specified)Gate-Drain Voltage, VGDO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -50VGate-Source Voltage, VGSO .
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BDV65B | KT3132B-2 | 2SD2675 | 9016I | 2SB758A
History: BDV65B | KT3132B-2 | 2SD2675 | 9016I | 2SB758A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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