PBF493R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PBF493R
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50M MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PBF493R
PBF493R Datasheet (PDF)
pbf493rs.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby PBF493RS/DHigh Voltage TransistorsPNP SiliconPBF493RSCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 17CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Cu
pbf493re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby PBF493/DHigh Voltage TransistorsPNP Silicon PBF493PBF493SCOLLECTOR32BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector
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History: 2N59B
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Liste
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