PBF493R Todos los transistores

 

PBF493R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PBF493R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50M MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

PBF493R Datasheet (PDF)

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PBF493R

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby PBF493RS/DHigh Voltage TransistorsPNP SiliconPBF493RSCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 17CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Cu

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PBF493R

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby PBF493/DHigh Voltage TransistorsPNP Silicon PBF493PBF493SCOLLECTOR32BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector

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History: 2SC496R | 2SC484Y | 121-792 | 2SD667A-D

 

 
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