PBF493RS Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PBF493RS

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50M MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO92

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PBF493RS datasheet

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PBF493RS

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by PBF493RS/D High Voltage Transistors PNP Silicon PBF493RS COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol Value Unit CASE 29 04, STYLE 17 Collector Emitter Voltage VCEO 300 Vdc TO 92 (TO 226AA) Collector Base Voltage VCBO 300 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Cu

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PBF493RS

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by PBF493/D High Voltage Transistors PNP Silicon PBF493 PBF493S COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol Value Unit CASE 29 04, STYLE 1 Collector Emitter Voltage VCEO 300 Vdc TO 92 (TO 226AA) Collector Base Voltage VCBO 300 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector

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