PMBTA93 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMBTA93
   Código: P2E_p2E_t2E_W2E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.33 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO236

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PMBTA93

PMBTA93 Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBTA92PNP high-voltage transistorProduct data sheet 2004 Jan 22Supersedes data of 1999 Apr 13NXP Semiconductors Product data sheetPNP high-voltage transistor PMBTA92FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Telephony Professional com

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBTA92PNP high-voltage transistor1999 Apr 13Product specificationSupersedes data of 1998 Jul 21Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistor PMBTA92FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector

8.3. Size:100K nxp
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