PMBTA93 Todos los transistores

 

PMBTA93 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMBTA93
   Código: P2E_p2E_t2E_W2E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.33 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO236
 

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PMBTA93 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:100K  philips
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PMBTA93

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBTA92PNP high-voltage transistorProduct data sheet 2004 Jan 22Supersedes data of 1999 Apr 13NXP Semiconductors Product data sheetPNP high-voltage transistor PMBTA92FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Telephony Professional com

 8.2. Size:47K  philips
 pmbta92 4.pdf pdf_icon

PMBTA93

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBTA92PNP high-voltage transistor1999 Apr 13Product specificationSupersedes data of 1998 Jul 21Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistor PMBTA92FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector

 8.3. Size:100K  nxp
 pmbta92.pdf pdf_icon

PMBTA93

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBTA92PNP high-voltage transistorProduct data sheet 2004 Jan 22Supersedes data of 1999 Apr 13NXP Semiconductors Product data sheetPNP high-voltage transistor PMBTA92FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Telephony Professional com

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History: CMLT7410 | EN706 | C102 | 2SC1177A

 

 
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