2N1132A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1132A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO5

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2N1132A datasheet

 8.1. Size:10K  semelab
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2N1132A

2N1132DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 50V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.6A C (0.0

 8.2. Size:41K  semelab
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2N1132A

2N1132CSM MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) HIGH SPEED MEDIUM POWER PNP SWITCHING TRANSISTOR FEATURES 1.02 0.10 0.51 0.10 (0.04 0.004) (0.02 0.004) 0.31 (0.012)rad. SILICON PNP TRANSISTOR. HIGH SPEED SWITCHING 3 SCREENING OPTIONS AVAILABLE 2 1 1.91 0.10 APPLICATIONS (0.075 0.004) 1.40 0.31 rad. (0.055) (0.012) 3.05

 8.3. Size:128K  microsemi
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2N1132A

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Tel +353 (0) 65 6840044 Fax +353 (0) 65 6822298 Website http //www.microsemi.com LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/177 DEVICES LEVELS 2N1131 2N1132 JAN 2N1131L 2N1132L JANTX JANTXV ABSOL

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