2N5095 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5095
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO5
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2N5095 datasheet
2n5095.pdf
2N5095 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 400V dia. IC = 1A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3
2n5099.pdf
2N5099 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 550V dia. IC = 1A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3
Otros transistores... 2N5089 , 2N508A , 2N509 , 2N5090 , 2N5091 , 2N5092 , 2N5093 , 2N5094 , D667 , 2N5096 , 2N5097 , 2N5097S , 2N5098 , 2N5099 , 2N51 , 2N5100 , 2N5101 .
History: XA131 | 2SB121 | 2SA1335 | 2N5096 | BDX63 | BD363B
History: XA131 | 2SB121 | 2SA1335 | 2N5096 | BDX63 | BD363B
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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