PN5179 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PN5179
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 900 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO92
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PN5179 Datasheet (PDF)
pn5179 mps5179 mmbt5179.pdf

MPS5179 MMBT5179 PN5179CEC TO-92 C TO-92B B ESOT-23E BMark: 3CNPN RF TransistorThis device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifierswith collector currents in the 100 A to 30 mA range in commonemitter or common base mode of operation, and in low frequencydrift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless o
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History: BC53-16PA | SMBT2369A | 2SD1117 | UNR1215 | PZT882 | MQ3053 | BUV71
History: BC53-16PA | SMBT2369A | 2SD1117 | UNR1215 | PZT882 | MQ3053 | BUV71



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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