2N5097 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N5097
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO5

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N5097

2N5097 Datasheet (PDF)

..1. Size:91K ssdi
2n5095 2n5097.pdf

9.1. Size:11K semelab
2n5095.pdf

2N5095Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 400V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

9.2. Size:11K semelab
2n5099.pdf

2N5099Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 550V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

9.3. Size:95K ssdi
2n5094 2n5096.pdf