PN930A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PN930A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 45 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO92
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PN930A datasheet
pn930.pdf
PN930 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose applications at collector currents from 1 A to 50mA. TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VCBO Collector-Base Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5.0
Otros transistores... PN835, PN901, PN911, PN918, PN918R, PN929, PN929A, PN930, 2SD718, PN930R, PO38, PO39, PT1837, PT2896, PT3151A, PT3501, PT515
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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