PT530 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT530

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 8

Encapsulados: TO8

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PT530 datasheet

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PT530

PT530BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 4.3m @VGS = 10V 30V 89A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 89 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 56 A IDM 150 Pulsed Drain Curren

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