2N514 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N514
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 30 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO3
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2N514 datasheet
2n5148.pdf
2N5148 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 80V dia. IC = 2A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3
Otros transistores... 2N5134 , 2N5135 , 2N5136 , 2N5137 , 2N5138 , 2N5139 , 2N513A , 2N513B , TIP31 , 2N5140 , 2N5141 , 2N5142 , 2N5143 , 2N5144 , 2N5145 , 2N5146 , 2N5147 .
History: BC281B | AC113 | 2SB1201T | 2SB1171 | 2SB1201U | OC1070 | 2SC1005A
History: BC281B | AC113 | 2SB1201T | 2SB1171 | 2SB1201U | OC1070 | 2SC1005A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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