SD3866A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SD3866A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: LCC2

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SD3866A datasheet

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SD3866A

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SD3866A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD386 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.0V(Max) @I = 1.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV vertical deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.3. Size:125K  inchange semiconductor
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SD3866A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD386 2SD386A DESCRIPTION With TO-220C package High voltage VCBO=200V(min) APPLICATIONS For TV vertical deflection output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

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