SDM5012 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDM5012
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 140 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de SDM5012
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SDM5012 datasheet
NO DATA!
Otros transistores... SDM4017, SDM5001, SDM5002, SDM5003, SDM5005, SDM5006, SDM5010, SDM5011, BD140, SDM5013, SDM5014, SDM5015, SDM5016, SDM5017, SDT9201, SDT9202, SDT9203
History: BU508AT
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent
