SE6002 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE6002

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100M MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 150

Encapsulados: TO106

 Búsqueda de reemplazo de SE6002

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SE6002 datasheet

 9.1. Size:325K  cn sino-ic
 se6003c.pdf pdf_icon

SE6002

SE6003C N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =60V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =85m @V =10V DS(ON) GS FOM R =105m @V =4.5V DS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface

Otros transistores... SE5-0253, SE5050, SE5051, SE5052, SE5055, SE5-0854, SE5-567, SE6001, NJW0281G, SE6010, SE6020, SE6021, SE6022, SE6023, SE6062, SE6063, SE6562