SFT121 Todos los transistores

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SFT121 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFT121

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 24 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 0.2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 30

Empaquetado / Estuche: X01

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SFT121 Datasheet (PDF)

5.1. sft1202-e.pdf Size:305K _update

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Ordering number : ENA1169A SFT1202 Bipolar Transistor http://onsemi.com ( ) 150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FA Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power diss

5.2. sft1202.pdf Size:57K _sanyo

SFT121
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Ordering number : ENA1169 SFT1202 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor SFT1202 High-Voltage Switching Applications Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter. Features Adoption of FBET, MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. High

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