SK3247 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SK3247
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 500 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de SK3247
SK3247 Datasheet (PDF)
3sk324.pdf
3SK324 Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier REJ03G0532-0100 Rev.1.00 May 18, 2005 Features Low noise characteristics; NF = 1.0 dB typ. (at f = 900 MHz) High gain characteristics; PG = 24 dB typ. (at f = 900 MHz) Capable low voltage operation; +B = 3.5 V High Endurance Voltage; VDS = 6 V Outline RENESAS Package code: PTSP0004ZA-A(Package n
Otros transistores... SK3026 , SK3040 , SK3054 , SK3114 , SK3137 , SK3182 , SK3194 , SK3218 , 2SA1943 , SK3260 , SK3270 , SK3356 , SK3441 , SK3511 , SK3538 , SK3623 , SK5801 .
History: BC416B | FMMTA06R | PMD19K80 | 2SD1689 | 2SB1121U
History: BC416B | FMMTA06R | PMD19K80 | 2SD1689 | 2SB1121U
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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