2N5178 Todos los transistores

 

2N5178 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5178
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W
   Tensión colector-base (Vcb): 55 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: MD36
 

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2N5178 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:289K  fairchild semi
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2N5178

2N5172B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVCBO Collector-Base Voltage 25 VVEBO Em

 9.2. Size:70K  central
 2n5172 2n6076 mps5172 mps6076.pdf pdf_icon

2N5178

TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com

 9.3. Size:60K  central
 2n5179.pdf pdf_icon

2N5178

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.4. Size:75K  secos
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2N5178

2N5172 0.5 A, 25 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 General Purpose Amplifier TransistorG H EmitterCollector Base JA DCollector Millimeter REF.Min. Max.BA 4.40 4.70B 4.30 4.70K C 12.70 -D 3.30 3.81 E 0.3

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History: LBC549AP | 2N5321Y | 2N2784

 

 
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