STC5082 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STC5082
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO5
Búsqueda de reemplazo de STC5082
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
STC5082 datasheet
stc503d.pdf
STC503D NPN Silicon Transistor Applications PIN Connection Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage VCE(sat)=0.4V Typ. High Voltage VCEO=65V Min. TO-252 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC503D STC503 TO-252 Absolute Maximum
stc503f.pdf
STC503F NPN Silicon Transistor PIN Connection Applications Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage VCE(sat)=0.4V Typ. SOT-89 High Voltage VCEO=65V Min. Ordering Information Type NO. Marking Package Code C503 STC503F SOT-89 YWW Absolute Ma
Otros transistores... STC1737 , STC1739 , STC1751 , STC1777 , STC2100 , STC2101 , STC5080 , STC5081 , BC556 , STC5083 , STC5084 , STC5085 , STC5550 , STC5551 , STC5552 , STC5553 , STC5554 .
History: SPS817
History: SPS817
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771