STC5084 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STC5084
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO3
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STC5084 datasheet
stc503d.pdf
STC503D NPN Silicon Transistor Applications PIN Connection Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage VCE(sat)=0.4V Typ. High Voltage VCEO=65V Min. TO-252 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC503D STC503 TO-252 Absolute Maximum
stc503f.pdf
STC503F NPN Silicon Transistor PIN Connection Applications Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage VCE(sat)=0.4V Typ. SOT-89 High Voltage VCEO=65V Min. Ordering Information Type NO. Marking Package Code C503 STC503F SOT-89 YWW Absolute Ma
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History: 2SA761-2 | SPS817
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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