T2019 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: T2019
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.06 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO9
Búsqueda de reemplazo de T2019
T2019 Datasheet (PDF)
hat2019r.pdf
HAT2019R N MOS FETADJ-208-474 (Z)96.06 2.5V SOP856784325 6 7 8 1D D D D4G1, 2, 3 Source4 Gate5, 6, 7, 8 DrainS S
Otros transistores... T1961 , T1967 , T1973 , T1992 , T2015 , T2016 , T2017 , T2018 , TIP127 , T2020 , T2021 , T2022 , T2023 , T2024 , T2025 , T2026 , T2028 .
History: CHUMB4GP | MMUN2235 | T2058 | MJE345 | CHDTC143XEGP | 2SC4099
History: CHUMB4GP | MMUN2235 | T2058 | MJE345 | CHDTC143XEGP | 2SC4099
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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