2N523 Todos los transistores

 

2N523 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N523
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 24 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N523 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:57K  central
 2n5232a.pdf pdf_icon

2N523

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 0.2. Size:113K  semelab
 2n5237s.pdf pdf_icon

2N523

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N5237S Low Power, High Voltage. Hermetic TO-39 Metal Package. Ideally Suited For Switching And General Purpose Applications. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter Voltage 120V VEBO Emitter Base

 0.3. Size:303K  cdil
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N52322N5232ATO-92Plastic PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 50 VVCBOCollector Base Voltage 70 VVEBOEmitter Base Voltage 5VICCollector Current 1

 0.4. Size:55K  microelectronics
 2n5232.pdf pdf_icon

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