TBC846 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TBC846
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 65 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de TBC846
TBC846 Datasheet (PDF)
tbc847.pdf

TBC847Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial TypeTBC847TBC847TBC847TBC8471. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Low-Frequency Amplifiers2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit1. Base2. Emitter3. CollectorSOT233. Absolute Maximum Ratings (
Otros transistores... TBC548 , TBC549 , TBC550 , TBC556 , TBC557 , TBC558 , TBC559 , TBC560 , 2SC2655 , TBC847 , TBC848 , TBC849 , TBC850 , TBC856 , TBC857 , TBC858 , TBC859 .
History: CHT858BWPTQ | BFR86 | PMC3907 | 2N2362 | 2SC2634 | BC232M | 2N1016D
History: CHT858BWPTQ | BFR86 | PMC3907 | 2N2362 | 2SC2634 | BC232M | 2N1016D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460