2N5233 Todos los transistores

 

2N5233 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5233
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.33 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO98-2
 

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2N5233 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:57K  central
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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.2. Size:113K  semelab
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2N5233

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N5237S Low Power, High Voltage. Hermetic TO-39 Metal Package. Ideally Suited For Switching And General Purpose Applications. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter Voltage 120V VEBO Emitter Base

 9.3. Size:303K  cdil
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N52322N5232ATO-92Plastic PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 50 VVCBOCollector Base Voltage 70 VVEBOEmitter Base Voltage 5VICCollector Current 1

 9.4. Size:55K  microelectronics
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