2N5235 Todos los transistores

 

2N5235 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5235
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.33 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 400
   Paquete / Cubierta: TO98-2
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N5235 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:57K  central
2n5232a.pdf pdf_icon

2N5235

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.2. Size:113K  semelab
2n5237s.pdf pdf_icon

2N5235

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N5237S Low Power, High Voltage. Hermetic TO-39 Metal Package. Ideally Suited For Switching And General Purpose Applications. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter Voltage 120V VEBO Emitter Base

 9.3. Size:303K  cdil
2n5232 a.pdf pdf_icon

2N5235

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N52322N5232ATO-92Plastic PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 50 VVCBOCollector Base Voltage 70 VVEBOEmitter Base Voltage 5VICCollector Current 1

 9.4. Size:55K  microelectronics
2n5232.pdf pdf_icon

2N5235

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
Back to Top

 


 
.