2N526 Todos los transistores

 

2N526 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N526

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 36 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 65

Encapsulados: TO5

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2N526 datasheet

 0.1. Size:100K  jmnic
 2n5264.pdf pdf_icon

2N526

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5264 DESCRIPTION With TO-3 package High speed switching High reliability APPLICATIONS Switching regulators DC-DC convertor Solid state relay General purpose power amplifiers PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol MA

 0.2. Size:116K  inchange semiconductor
 2n5264.pdf pdf_icon

2N526

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5264 DESCRIPTION With TO-3 package High speed switching High reliability APPLICATIONS Switching regulators DC-DC convertor Solid state relay General purpose power amplifiers PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Coll

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History: MJ10020

 

 

 

 

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