2N526 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N526
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 36 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de 2N526
2N526 Datasheet (PDF)
2n5264.pdf

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5264 DESCRIPTION With TO-3 package High speed switching High reliability APPLICATIONS Switching regulators DC-DC convertor Solid state relay General purpose power amplifiers PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol MA
2n5264.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5264 DESCRIPTION With TO-3 package High speed switching High reliability APPLICATIONS Switching regulators DC-DC convertor Solid state relay General purpose power amplifiers PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Coll
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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