2N526 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N526
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 36 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N526
2N526 Datasheet (PDF)
2n5264.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5264 DESCRIPTION With TO-3 package High speed switching High reliability APPLICATIONS Switching regulators DC-DC convertor Solid state relay General purpose power amplifiers PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol MA
2n5264.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5264 DESCRIPTION With TO-3 package High speed switching High reliability APPLICATIONS Switching regulators DC-DC convertor Solid state relay General purpose power amplifiers PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Coll
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