TIP56 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TIP56
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TOP3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar TIP56
TIP56 Datasheet (PDF)
tip562 tip563 .pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors TIP562/563 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 300V(Min)- TIP562 = 400V(Min)- TIP563 High Power Dissipation APPLICATIONSDesigned for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators, and a variety of power switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RA
tip562 tip563.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors TIP562/563DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 300V(Min)- TIP562CEO(SUS)= 400V(Min)- TIP563High Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for converters, inverters, pulse-width-modulatedregulators, and a variety of power switching applica
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Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050