TN3900 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TN3900  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 18 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 250

Encapsulados: TO92

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TN3900 datasheet

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TN3900

STN3904S NPN Silicon Transistor Descriptions PIN Connection General small signal amplifier Switching application Features C B Low collector saturation voltage Collector output capacitance E Complementary pair with STN3906S SOT-23 Ordering Information Type NO. Marking Package Code KA STN3904S SOT-23 Device Code Year&We

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TN3900

STN3906S PNP Silicon Transistor Descriptions General purpose small signal amplifier Emitter 2 Switching application 3 Base Base 1 1 Features Collector saturation voltage Collector 1 V =-0.5V(Max.) @ I =-50mA, I =-5mA CE(sat) C B 2 3 Low output capacitance SOT-23 C =4.5pF(Max.) @ V =-5V, I =0, f=1MHz ob CB E Complementary pair w

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TN3900

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TN3900

STN3906 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Descriptions General small signal amplifier Switching application Features Collector saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(Max.) Low output capacitance Cob=4.5pF(Max.) Complementary pair with STN3904 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STN3906 STN3906 TO-92 Outline Di

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