TN4403 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TN4403  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 9 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO92

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TN4403 datasheet

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TN4403

Spec. No. C910Q8 Issued Date 2013.05.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 20V MTN4402Q8 ID 20A 4.3m VGS=4.5V, ID=20A RDSON(TYP) 5.3m VGS=2.5V, ID=20A Description The MTN4402Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switc

 9.2. Size:356K  stansontech
stn4402.pdf pdf_icon

TN4403

STN4402 STN4402 STN4402 STN4402 N Channel Enhancement Mode MOSFET 12A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STN4402 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited f

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