UMH6N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UMH6N
Código: H6
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 68
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UMH6N datasheet
emh6 umh6n imh6a.pdf
EMH6 / UMH6N / IMH6A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH6 / UMH6N / IMH6A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC144E chips in a EMT or UMT or SMT EMH6 package. ( ) ( ) 4 3 ( ) ( ) 5 2 ( ) ( ) 6 1 1.2 Equivalent circuit 1.6 EMH6 / UMH6N IMH6A (3) (2) (1) (4) (5) (6) R1 R1 ROHM EMT6 Each lead has same dimensions R2 R2 R2 R2
emh6fha umh6nfha.pdf
EMH6FHA / UMH6NFHA / IMH6AFRA EMH6 / UMH6N / IMH6A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC 50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) 100mA (2) (2) (3) (3) R1 47kW EMH6 UMH6N EMH6FHA UMH6NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6
emh6fha umh6nfha imh6afra.pdf
EMH6FHA / UMH6NFHA / IMH6AFRA EMH6 / UMH6N / IMH6A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC 50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) 100mA (2) (2) (3) (3) R1 47kW EMH6 UMH6N EMH6FHA UMH6NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6
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