UMX3N Todos los transistores

 

UMX3N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMX3N
   Código: X3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SC88 SOT353
 

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UMX3N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  rohm
 umx3n imx3 x3 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMX3N

(94S-366-A032)

 ..2. Size:75K  rohm
 emx3 umx3n imx3.pdf pdf_icon

UMX3N

EMX3 / UMX3N / IMX3 Transistors General purpose (dual transistors) EMX3 / UMX3N / IMX3 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two 2SC2412AK chips in a EMT or UMT or SMT EMX3package. (4) ( )3 (5) (2)(6) ( )1 Equivalent circuits 1.21.6EMX3 / UMX3N IMX3(3) (2) (1) (4) (5) (6)Tr2 Tr2Tr1 Tr1ROHM : EMT6 Each lead has same dimensions(4) (5) (6) (3) (

 ..3. Size:1205K  jiangsu
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UMX3N

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors UMX3N DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES Two 2SC2412K chips in a packageMAKING: X3 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector

 0.1. Size:1013K  rohm
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UMX3N

AEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual transistors) EMX3 / UMX3N / IMX3 EMX3FHA / UMX3NFHA / IMX3FRAFeatures Dimensions (Unit : mm) Two 2SC2412AK chips in a EMT or UMT or SMT package. EMX3EMX3FHA( ) ( )4 3( ) ( )5 2Inner circuits( ) ( )6 11.21.6EMX3FHA / UMX3NFHA IMX3FRAEMX3 / UMX3N IMX3(3) (2) (1) (4) (5) (6)Tr2 Tr2Tr1 Tr1ROHM : EMT6 Each le

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History: KT818V-1

 

 
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