UN1117S Todos los transistores

 

UN1117S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UN1117S

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 290

Encapsulados: M-A1

 Búsqueda de reemplazo de UN1117S

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

UN1117S datasheet

 ..1. Size:263K  panasonic
un1110q un1110r un1110s un1111 un1112 un1113 un1114 un1115q un1116q un1116r un1116s un1117q un1117r un1117s un1118 un1119 un111d un111e un111f un111h un111l.pdf pdf_icon

UN1117S

Transistors with built-in Resistor UNR1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/ 111D/111E/111F/111H/111L (UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/ Unit mm 111D/111E/111F/111H/111L) 2.5 0.1 6.9 0.1 (1.0) (1.5) Silicon PNP epitaxial planar transistor (1.5) R 0.9 For digital circuits R 0.7 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

Otros transistores... UN1115Q , UN1115R , UN1115S , UN1116Q , UN1116R , UN1116S , UN1117Q , UN1117R , S8550 , UN1118 , UN1119 , UN111D , UN111E , UN111F , UN111H , UN111L , UN1121 .

History: 2N3245 | MP2369 | BD124A | MP25

 

 

 

 

↑ Back to Top
.