UN1213 Todos los transistores

 

UN1213 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UN1213
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: M-A1
 

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UN1213 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  panasonic
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UN1213

Transistors with built-in ResistorUNR1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/121D/121E/121F/121K/121L(UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/Unit: mm121D/121E/121F/121K/121L)2.50.16.90.1(1.0)(1.5)(1.5)Silicon NPN epitaxial planar transistorR 0.9For digital circuitsR 0.7Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment

Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: DMG964H3 | DMG563HA

 

 
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