UN1217R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN1217R
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 210
Encapsulados: M-A1
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UN1217R datasheet
un1210q un1210r un1210s un1211 un1212 un1213 un1214 un1215q un1215r un1215s un1216q un1216r un1216s un1217q un1217r un1217s unr1210.pdf
Transistors with built-in Resistor UNR1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/ 121D/121E/121F/121K/121L (UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/ Unit mm 121D/121E/121F/121K/121L) 2.5 0.1 6.9 0.1 (1.0) (1.5) (1.5) Silicon NPN epitaxial planar transistor R 0.9 For digital circuits R 0.7 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment
Otros transistores... UN1214 , UN1215Q , UN1215R , UN1215S , UN1216Q , UN1216R , UN1216S , UN1217Q , D880 , UN1217S , UN1218 , UN1219 , UN121D , UN121E , UN121F , UN121L , UN121K .
History: UN1217S | 2SC1312
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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