2N5345 Todos los transistores

 

2N5345 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5345
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO66
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N5345 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 2n5345.pdf pdf_icon

2N5345

isc Silicon PNP Power Transistor 2N5345DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -280V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedHigh Current-Gain Bandwidth Product-: f = 60MHz(Min)@ I = -0.1AT CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage switching and amplifierapplications.AB

 9.1. Size:51K  inchange semiconductor
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2N5345

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2N5344 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -250V(Min) High Switching Speed High Current-Gain Bandwidth Product- : fT= 60MHz(Min)@ IC= -0.1A APPLICATIONS Designed for high voltage switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

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History: 2N3450 | MBT3904DW1T3G | RT1P144U | K2103B | 2G103 | 2SC3557

 

 
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