2N5346 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5346
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO59
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2N5346 datasheet
2n5345.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2N5345 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -280V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed High Current-Gain Bandwidth Product- f = 60MHz(Min)@ I = -0.1A T C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage switching and amplifier applications. AB
2n5344.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2N5344 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -250V(Min) High Switching Speed High Current-Gain Bandwidth Product- fT= 60MHz(Min)@ IC= -0.1A APPLICATIONS Designed for high voltage switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 )
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History: STA475A | 2SA988 | STA481A | 2N508 | BSP33 | 2SC4579 | 2SA99
History: STA475A | 2SA988 | STA481A | 2N508 | BSP33 | 2SC4579 | 2SA99
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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