2N5368 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5368
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Búsqueda de reemplazo de 2N5368
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2N5368 datasheet
2n5366.pdf
2N5366 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifiers applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 68. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VCBO Collector-Base Voltage 40 V VEBO Emitter-Base
Otros transistores... 2N5356, 2N5357, 2N535A, 2N535B, 2N536, 2N5365, 2N5366, 2N5367, 13007, 2N5369, 2N537, 2N5370, 2N5371, 2N5372, 2N5373, 2N5374, 2N5375
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet





