ZTX114K . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZTX114K
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar ZTX114K
ZTX114K Datasheet (PDF)
ztx1149a.pdf
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX1149AHIGH GAIN TRANSISTORISSUE 1 - January 1997FEATURES* VCEO = - 25V* 3 Amp Continuous Current* 10 Amp Pulse Current* Low Saturation Voltage C B E* High GainE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL ZTX1149A UNITCollector-Base Voltage VCBO -30 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-Base Voltage VEB
ztx1147a.pdf
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX1147AHIGH GAIN TRANSISTORISSUE 1 - JANUARY 1997FEATURES* VCEO= -12V* 4 Amp Continuous Current* 20 Amp pulse Current* Low Saturation Voltage C B E* High GainE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollector-Base Voltage VCBO -15 VCollector-Emitter Voltage VCEO -12 VEmitter-Base Voltage VEBO -5
ztx1151a.pdf
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX1151AHIGH GAIN TRANSISTORISSUE 1 - JANUARY 1997FEATURES* VCEO= -40V* 3 Amp Continuous Current* 5 Amp Pulse Current* Low Saturation voltage* High Gain C B EE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollector-Base Voltage VCBO -45 VCollector-Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 V
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